當(dāng)前我國(guó)先進(jìn)的集成電路量產(chǎn)工藝已經(jīng)進(jìn)入到14nm，以EUV光刻機(jī)為代表的工藝制造設(shè)備價(jià)格非常昂貴，高校很難采購(gòu)這類設(shè)備用于教學(xué)，同時(shí)，新手操作容易損壞，又有一定的危險(xiǎn)性，使得高校集成電路工藝教育與真實(shí)工藝線人才需求脫節(jié)。為此，我們研發(fā)了14nm集成電路工藝套件。
該套件包含如下內(nèi)容
1. 完整的14nm工藝線虛擬制造設(shè)備操作：氧化爐、CVD設(shè)備、PVD設(shè)備、刻蝕機(jī)、離子注入機(jī)、退火設(shè)備、外延設(shè)備。
2. 完整的14nm工藝線虛擬制造步驟及晶圓微觀結(jié)構(gòu)、參數(shù)特性、電學(xué)特性等：氧化、淀積、光刻、刻蝕、離子注入、擴(kuò)散、退火、外延。
3. 完成的14nm工藝線典型器件制造步驟及器件微觀結(jié)構(gòu)、參數(shù)特性、電學(xué)特性等：14nm FinFET；GaAs；LDMOS；MOSFET；BJT；DIODE；RESISTOR。
4. 完整支持半導(dǎo)體工藝實(shí)驗(yàn)課的軟硬件設(shè)施和全套實(shí)驗(yàn)教材。
5. 支持課程：工業(yè)級(jí)半導(dǎo)體工藝實(shí)驗(yàn)。
課程大綱/36學(xué)時(shí)
| 1：干氧氧化工藝實(shí)驗(yàn) | 2：濕氧氧化工藝實(shí)驗(yàn) |
| 3：離子注入的深度與能量關(guān)系實(shí)驗(yàn) | 4：離子注入的劑量與摻雜濃度關(guān)系實(shí)驗(yàn) |
| 5：離子注入的角度影響實(shí)驗(yàn) | 6：擴(kuò)散工藝時(shí)間對(duì)摻雜濃度的影響實(shí)驗(yàn) |
| 7：擴(kuò)散工藝溫度對(duì)摻雜濃度的影響實(shí)驗(yàn) | 8：二極管制造實(shí)驗(yàn) |
| 9：集成電路電阻制造實(shí)驗(yàn) | 10：MOSFET制造實(shí)驗(yàn) |
| 11：變?nèi)莨苤圃鞂?shí)驗(yàn) | 12：SOI制造實(shí)驗(yàn) |
| 13：FinFET制造實(shí)驗(yàn) | 14：三極管制造實(shí)驗(yàn) |
| 15：LDMOS制造實(shí)驗(yàn) | 16：JFET制造實(shí)驗(yàn) |
| 17：GaAs制造實(shí)驗(yàn) |
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